| 发明名称 | 一种薄膜封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜封装方法，包括如下步骤：通过PECVD方法沉积有机功能层；通过脉冲流量PECVD方法沉积无机功能层，所述脉冲流量PECVD方法是将PECVD方法中的前驱体通过脉冲输入方式输入；沉积若干有机功能层和无机功能层交替结构的薄膜。实现了速度可控、快速沉积较高质量的薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104746036A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310753356.8 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 |
| 分类号 | C23C16/06(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘杰 |
| 主权项 | 一种薄膜封装方法，其特征在于：包括如下步骤：通过PECVD方法沉积有机功能层；通过脉冲流量PECVD方法沉积无机功能层，所述脉冲流量PECVD方法是将PECVD方法中的前驱体通过脉冲输入方式输入；沉积若干有机功能层和无机功能层交替结构的薄膜。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||