| 发明名称 | 一种射频LDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种射频LDMOS器件，在源极之上具有源区金属硅化物，在漏极之上具有漏区金属硅化物，源极和漏极的底面在同一水平面上，漏极的顶面高于源极的顶面，漏区金属硅化物的顶面高于源区金属硅化物的顶面。本申请还公开了其制造方法，先采用光刻和刻蚀工艺使漏极区域的硅材料表面高于其余区域的硅材料表面，然后同时在源极、漏极、栅极上形成金属硅化物，从而使得漏区金属硅化物的顶面高于源区金属硅化物的顶面。本申请通过器件结构和工艺优化使得漏端界面抬高，然后在同一步骤形成源极和漏极的金属硅化物。这样形成的射频LDMOS器件既能保证栅极电阻较小，又能确保漏极保留有足够的硅材料，可以得到更小的漏电流并且器件性能更加稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN104659095A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310601844.7 | 申请日期 | 2013.11.25 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 遇寒;周正良;李昊;蔡莹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 殷晓雪 |
| 主权项 | 一种射频LDMOS器件，在源极之上具有源区金属硅化物，在漏极之上具有漏区金属硅化物，其特征是，源极和漏极的底面在同一水平面上，漏极的顶面高于源极的顶面，漏区金属硅化物的顶面高于源区金属硅化物的顶面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||