| 发明名称 | 铜互连结构的制造方法及半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种铜互连结构的制造方法及半导体结构，其中，所述铜互连结构的制造方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆上形成有第一氧化硅层，所述第一氧化硅层中形成有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层中形成有第一铜线；提供第二晶圆，所述第二晶圆上形成有第二氧化硅层，所述第二氧化硅层中形成有第二铜线；将所述第一氧化硅层及第二氧化硅层键合在一起，所述第一铜线和所述第二铜线形成铜互连结构。本发明中的铜互连结构的制造方法及半导体结构能够防止键合工艺所形成的铜互连结构脱落。 | ||
| 申请公布号 | CN103311179B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201310178621.4 | 申请日期 | 2013.05.14 |
| 申请人 | 豪威科技（上海）有限公司 | 发明人 | 费孝爱;洪齐元 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆上形成有第一氧化硅层，所述第一氧化硅层中形成有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层中形成有第一铜线；提供第二晶圆，所述第二晶圆上形成有第二氧化硅层，所述第二氧化硅层中形成有第二铜线；将所述第一氧化硅层及第二氧化硅层键合在一起，所述第一铜线和所述第二铜线形成铜互连结构；其中，所述第一氮化硅层的截面宽度大于所述第二铜线的截面宽度，所述第一氮化硅层在所述第一晶圆上的投影覆盖所述第二铜线在所述第一晶圆上的投影。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园上科路88号 | ||