Substrat mit kristallinen Halbleitergebieten mit unterschiedlichen Eigenschaften

摘要

Substrat zur Herstellung von Transistorelementen mit: einer kristallinen Halbleiterschicht; einem ersten kristallinen Halbleitergebiet, das auf der kristallinen Halbleiterschicht gebildet ist und eine erste Eigenschaft aufweist, die eine kristallographische Orientierung und/oder eine Halbleitermaterialart und/oder eine intrinsische Verformung repräsentiert; einem zweiten kristallinen Halbleitergebiet, das auf der kristallinen Halbleiterschicht gebildet ist und eine zweite Eigenschaft, die sich von der ersten Eigenschaft unterscheidet, aufweist und eine kristallographische Orientierung und/oder eine Halbleitermaterialart und/oder eine intrinsische Verformung repräsentiert; und einer Flachgrabenisolationsstruktur, die lateral das erste und das zweite Halbleitergebiet trennt.