发明名称 Einrichtung und Verfahren für das Erhöhen von Infrarotabsorption in Mems-Bolometern
摘要 <p>Ein Halbleitersensor beinhaltet ein Substrat und einen Absorber. Das Substrat beinhaltet wenigstens eine reflektierende Komponente. Der Absorber ist von der wenigstens einen reflektierenden Komponente durch einen Abstand beabstandet. Der Absorber definiert eine Vielzahl von Öffnungen, wobei jede eine maximale Weite besitzt, welche geringer als oder gleich zu dem Abstand ist.</p>
申请公布号 DE112013004113(T5) 申请公布日期 2015.05.07
申请号 DE20131104113T 申请日期 2013.08.22
申请人 O'BRIEN, GARY;ROBERT BOSCH GMBH;SAMARAO, ASHWIN 发明人 SAMARAO, ASHWIN;O'BRIEN, GARY
分类号 G01J5/20;G01J5/08 主分类号 G01J5/20
代理机构 代理人
主权项
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