| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 为了提高光提取效率，公开了一种半导体发光器件，其中，每层由III族氮化物基化合物半导体形成。发光器件包括：蓝宝石衬底(10)，在该蓝宝石衬底(10)的表面上平行于第一方向(x轴)布置多个条状沟槽(11)；在所述蓝宝石衬底的表面(10a)上和沟槽(11)中沿第一方向不连续地形成的电介质(15)。半导体发光器件具有包含在沟槽的侧面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面(10a)和电介质(15)的顶表面(15a)的III族氮化物基化合物半导体的基层；以及在基层上形成的构成发光器件的器件层。 | ||
| 申请公布号 | CN102822996B | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201180016978.1 | 申请日期 | 2011.03.15 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 奥野浩司 |
| 分类号 | H01L33/22(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，其中，每个层由III族氮化物基化合物半导体制成，所述发光器件包括：蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底具有在所述衬底的表面上沿第一方向平行地布置的多个条状图案沟槽和凸起部分；在所述蓝宝石衬底上形成的电介质，所述电介质形成在所述沟槽中并且形成在所述凸起部分的顶表面上，所述电介质至少沿所述第一方向是不连续的；由在所述沟槽的侧表面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面和所述电介质的顶表面的III族氮化物基化合物半导体制成的基层；以及在所述基层上形成的构成发光器件的器件层。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||