| 发明名称 | 一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种散裂中子源用固体靶片及其制备方法，用以增强靶片中钽和钨的连接强度，提高靶片的寿命。其中，一种散裂中子源用固体靶片的制备方法，包括：清洗待焊接的钨块与钽板；将所述钽板紧贴所述钨块的六个面，形成内装钨块的钽盒；密封焊接所述钽盒；将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压后取出，得到靶片。本发明提供的散裂中子源用固体靶片的制备方法不引入其它过渡金属，直接大面积扩散连接钽板与钨块，使制得的靶片中钽钨之间达到冶金结合，结合强度高，钽涂层致密，增强了靶片的抗冲刷腐蚀性能，提高了靶片寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN104470189A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310612833.9 | 申请日期 | 2013.11.27 |
| 申请人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明人 | 纪全;魏少红;张锐强;贾学军 |
| 分类号 | H05H6/00(2006.01)I | 主分类号 | H05H6/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮 |
| 主权项 | 一种散裂中子源用固体靶片的制备方法，其特征在于，包括：清洗待焊接的钨块与钽板；将所述钽板紧贴所述钨块的六个面，形成内装钨块的钽盒；密封焊接所述钽盒；将密封焊接后的钽盒放入热等静压炉内进行热等静压后取出，得到靶片。 | ||
| 地址 | 100049 北京市石景山区玉泉路19号（乙院） | ||