| 发明名称 | 减少氢氯硅烷生产中的腐蚀和结垢 | ||
| 摘要 | 本发明公开减少氢氯硅烷生产设备中硅化铁和/或磷化铁结垢和/或腐蚀的方法。向四氯化硅工艺流中添加足量的氢以抑制氯化铁(II)形成和减少硅化铁和/或磷化铁结垢、过热器腐蚀或其组合。还可以向所述四氯化硅工艺流中添加三氯硅烷。 | ||
| 申请公布号 | CN104470851A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201480000480.X | 申请日期 | 2014.04.02 |
| 申请人 | 瑞科硅公司 | 发明人 | 施泰因·朱尔斯鲁德;安雅·O·肖斯塔 |
| 分类号 | C01B33/08(2006.01)I;C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘慧;杨青 |
| 主权项 | 减少包含四氯化硅过热器和加氢反应器的氢氯硅烷生产设备中硅化铁和/或磷化铁结垢和/或腐蚀的方法，所述方法包括：向四氯化硅过热器上游的气化四氯化硅工艺流中添加氢以形成氢浓度足以抑制四氯化硅过热器中FeCl<sub>2</sub>蒸气形成的组合的氢/四氯化硅进料，从而减少硅化铁和/或磷化铁结垢、过热器腐蚀或其组合；使所述组合的氢/四氯化硅进料流入所述四氯化硅过热器中；以及随后使所述组合的氢/四氯化硅进料流入所述加氢反应器中。 | ||
| 地址 | 美国华盛顿州 | ||