功率半导体封装

摘要

本发明提供了一种功率半导体封装，其包括：外壳、嵌入外壳中的半导体芯片、以及部分地嵌入外壳中并且部分地暴露在外壳外部的至少四个端子。半导体芯片包括：与第一金属层欧姆接触的第一掺杂区域、与第二金属层欧姆接触的第二掺杂区域、以及包括栅极电极以及与栅极电极电绝缘的第一场电极的多个第一沟槽。四个端子中的第一端子电连接至第一金属层电连接；四个端子中的第二端子电连接至第二金属层；四个端子中的第三端子电连接至第一沟槽的栅极电极；四个端子中的第四端子电连接至第一沟槽的第一场电极。

主权项

一种功率半导体封装，包括：外壳；半导体芯片，至少部分地嵌入在所述外壳中，所述半导体芯片包括与第一金属层欧姆接触的第一掺杂区域、与第二金属层欧姆接触的第二掺杂区域、以及形成在所述半导体芯片中的至少多个第一沟槽，其中所述第一沟槽包括栅极电极以及与所述栅极电极电绝缘的至少第一场电极；以及至少四个端子，部分地嵌入所述外壳中，并且部分地暴露在所述外壳外部，其中所述至少四个端子中的第一端子电连接至所述第一金属层，所述至少四个端子中的第二端子电连接至所述第二金属层，所述至少四个端子中的第三端子电连接至所述第一沟槽的所述栅极电极，以及所述至少四个端子中的第四端子电连接至所述第一沟槽的所述第一场电极。