发明名称 真空处理装置及真空处理方法
摘要
申请公布号 TWI474394 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW099128854 申请日期 2010.08.27
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 小野洋平;河名正明;三浦丰
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种真空处理装置,其特征为具备有:处理室,配置有被处理物,并且内部被形成为预定的真空状态;第1处理气体导入手段,将第1处理气体形成为自由基状态,且由在前述处理室内形成开口的第1处理气体导入口导入至该处理室内;第2处理气体导入手段,将与自由基状态的前述第1处理气体起反应的第2处理气体,由在前述处理室内形成开口的第2处理气体导入口导入至该处理室内;温度控制手段,将前述处理室内的温度控制成:前述自由基状态的第1处理气体与第2处理气体将前述被处理物的表面进行处理而生成反应生成物的第1温度控制状态、及使所生成的反应生成物昇华而予以去除的第2温度控制状态;及惰性气体导入手段,在前述温度控制手段控制成前述第2温度控制状态时,由前述第1处理气体导入口将惰性气体导入至前述处理室内,前述惰性气体导入手段系具备有导入控制手段,其以防止前述反应生成物的昇华物通过前述处理气体导入口的扩散的方式,来控制来自该第1处理气体导入口的前述惰性气体导入状况,前述导入控制手段系将前述惰性气体的导入状况,以表示所被导入的惰性气体的导入通量与前述反应生成物的
地址 日本