发明名称 半导体装置;SEMICONDUCTOR APPARATUS
摘要 提供一种具备有接触电阻为小且使透过率提升之辅助电极的半导体装置。为了将p型半导体层(17)与正电极(21)作电性连接,而在p型半导体层(17)和正电极(21)之间设置辅助电极层(10)。此辅助电极层(10),系藉由与p型半导体层(17)相接触之透明的Ag层(18)和透明的金属氧化物层(19)所构成,相较于并未设置有Ag层(18)的情形,接触电阻系更为降低,透过率系更为提升。多重量子井层(16)之发光光,系通过辅助电极层(10)并被放出至外部。
申请公布号 TW201507204 申请公布日期 2015.02.16
申请号 TW103111477 申请日期 2014.03.27
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 市川周平;高泽悟;杉浦功;石桥暁
分类号 H01L33/36(2010.01) 主分类号 H01L33/36(2010.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本