一种制备纳米通道断面形貌样品的置换表征方法

摘要

本发明公开了一种制备纳米通道断面形貌样品的置换表征法，属于纳米结构表征领域。将未经氧等离子体处理的纳米沟道基板和盖板进行热压键合；将热压键合后的纳米沟道基板和盖板分离、冷冻并掰断，得到纳米沟道断面形貌完好的样品；对基板上纳米沟道和盖板形貌分别进行观测表征，得到纳米沟道的宽度、深度和盖板上纳米凸起的高度；根据得到的纳米沟道的宽度、深度和盖板上纳米凸起的高度；纳米沟道实际宽度等于纳米沟道的宽度，纳米沟道实际深度等于纳米沟道深度与盖板上纳米凸起高度的差值。本发明有效降低了热压键合后纳米通道断面制备难度。采用这种置换表征法制备的纳米通道断面形貌完整清晰，在扫描电镜下更加容易定位。

主权项

一种制备纳米通道断面形貌样品的置换表征方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将未经氧等离子体处理的纳米沟道基板和盖板进行热压键合；(2)将热压键合后的纳米沟道基板和盖板分离、冷冻并掰断，得到纳米沟道断面形貌完好的样品；对基板上纳米沟道和盖板形貌分别进行观测表征，得到纳米沟道的宽度、深度和盖板上纳米凸起的高度；(3)根据步骤(2)中得到的纳米沟道的宽度、深度和盖板上纳米凸起的高度，得到经氧等离子体处理热压键合后的纳米沟道实际宽度和深度：纳米沟道实际宽度等于纳米沟道的宽度；纳米沟道实际深度等于纳米沟道深度与盖板上纳米凸起高度的差值。