三维记忆体;3-D MEMORY

摘要

本文大体上讨论三维记忆体单元及制造及使用该等记忆体单元之方法。在一或多个实施例中,一三维垂直记忆体可包含一记忆体堆叠。此一记忆体堆叠可包含记忆体单元及介于邻近记忆体单元之间之一介电质,各记忆体单元包含一控制闸极及一电荷储存结构。该记忆体单元可进一步包含介于该电荷储存结构与该控制闸极之间之一障壁材料,该电荷储存结构及该障壁材料具有一实质上相等之尺寸。