| 摘要 |
本发明涉及一种在太阳能电池(1)之有效面(3)制造选择性发射级结构(8)的方法,其中发射级结构(8)具有一个掺杂的发射级层(4)及多个设置在发射级层上的接触元件(5),尤其是接触指,其中发射级层(4)在接触元件(5)下方区域的掺杂度高于在接触元件(5)之间区域的掺杂度。本发明的方法具有以下的步骤:a)备妥具有整个被掺杂的发射级层的太阳能电池(1),b)在发射级层(4)上形成接触元件(5),c)对太阳能电池(1)的整个有效面(3)进行蚀刻处理,以降低发射级层(4)在接触元件(5)之间区域的掺杂度。此外,本发明的内容还包括一种装置及一种太阳能电池。 |
