发明名称 记忆体控制器及其记忆体位址产生方法;MEMORY CONTROLLER AND ASSOCIATTED MEMORY ADDRESS GENERATING METHOD
摘要 一种记忆体控制器,连接至倍数资料速率动态随机存取记忆体与存取单元,记忆体控制器包括:处理单元,接收存取单元所产生之系统位址;以及一映射单元,位于处理单元内,用以将系统位址转换为记忆体位址并传递至倍数资料速率动态随机存取记忆体;其中,倍数资料速率动态随机存取记忆体的一突发存取长度为L且L=2x时,记忆体位址中由最低位元开始的第(x+1)个位元系属于一区块群位址,且L与x为正整数。
申请公布号 TW201439761 申请公布日期 2014.10.16
申请号 TW102111928 申请日期 2013.04.02
申请人 晨星半导体股份有限公司 发明人 陈忠敬;林政南;张雍
分类号 G06F12/08(2006.01) 主分类号 G06F12/08(2006.01)
代理机构 代理人 <name>祁明辉</name><name>林素华</name><name>涂绮玲</name>
主权项
地址 新竹县竹北市台元街26号4楼之1 TW