| 发明名称 | 暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，采用简单的回流法，制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片，CdS纳米片对角线尺寸为5～50nm、厚度为0.59～10nm。本发明操作简单，成本低，重复性好，所制备的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片有望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104085915A | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201410282977.7 | 申请日期 | 2014.06.23 |
| 申请人 | 陕西师范大学 | 发明人 | 杨合情;王姣;金荣;田志霞;贾文静;马斓 |
| 分类号 | C01G11/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C01G11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人 | 高雪霞 |
| 主权项 | 一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：将CdCl<sub>2</sub>·2.5H<sub>2</sub>O、十二硫醇加入油胺中，搅拌，在惰性气氛下升温至220～350℃，恒温搅拌回流1～10小时，所述的CdCl<sub>2</sub>·2.5H<sub>2</sub>O与十二硫醇的摩尔比为1:5～200，油胺与十二硫醇的体积比为1～10:1，制备成暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片。 | ||
| 地址 | 710062 陕西省西安市长安南路199号 | ||