塡充间隙用的二氧化矽前驱物;PRECURSORS FOR SILICON DIOXIDE GAP FILL

摘要

本发明系提供一种完全填充之沟渠结构，其包含一内含高深宽比沟渠的微电子装置基材和一填满沟渠的二氧化矽团块，其中二氧化矽具实质无孔隙之特性和实质均匀遍布整个团块的密度。一种所述对应制造半导体产品的方法包括使用特殊矽前驱物组成来填满微电子装置基材之沟渠，其中二氧化矽前驱物组成经处理以进行水解及缩合反应，而形成实质无孔隙且密度实质均一的二氧化矽材料于沟渠内。填充制程的施行包括使用含矽与锗之前驱物填充组成，因而形成包括GeO2/SiO2沟渠填充材料的微电子装置结构。前驱物填充组成可包含抑制剂成分(如甲醇)，用以消除或减少固化之沟渠填充材料产生裂缝。