发明名称 发光元件
摘要 本发明公开了一种发光元件。发光元件包括:第一导电半导体层;第一导电半导体层上的有源层;有源层上的第二导电半导体层;钝化层,所述钝化层包围第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层;钝化层上的第一光提取结构,该钝化层上的第一光提取结构具有凹凸结构;第一电极层,该第一电极层通过钝化层和第一光提取结构层被电气地连接到第一导电半导体层;以及第二电极层,该第二电极层通过钝化层和光提取结构层而被电气地连接到第二导电半导体层。
申请公布号 CN104022204A 申请公布日期 2014.09.03
申请号 CN201410136673.X 申请日期 2009.04.06
申请人 宋俊午 发明人 宋俊午
分类号 H01L33/44(2010.01)I 主分类号 H01L33/44(2010.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 周燕;夏凯
主权项 一种发光器件,包括:支撑衬底,所述支撑衬底由导电材料形成;发光半导体层,所述发光半导体层包括在所述支撑衬底上的第二导电半导体层;有源层,所述有源层在所述第二导电半导体层上;以及第一导电半导体层,所述第一导电半导体层在所述有源层上;突出部分,所述突出部分被设置在所述第一导电半导体层上并且包括与所述第一导电半导体层相同的材料;钝化层,所述钝化层被设置在所述第一导电半导体层上;以及第一电极层,所述第一电极层被设置在所述第一导电半导体层上,其中,所述钝化层被设置在所述发光半导体层的顶表面和横表面上,其中,所述第一电极层被设置在所述第一导电半导体层的一部分上,所述第一导电半导体层的一部分通过所述钝化层来暴露,其中,所述支撑衬底被电气地连接到所述第二导电半导体层,其中,所述第一电极被电气地连接到所述第一导电半导体层。
地址 韩国首尔