| 摘要 |
本发明系一种半导体发光装置及其制造方法,有关实施形态之半导体发光装置系具备:半导体层,和设置于前述半导体层之p侧电极及n侧电极,和电性连接于前述p侧电极之p侧配线层,和电性连接于前述n侧电极之n侧配线层。更且,具备:具有相向于前述半导体层,前述p侧配线层及前述n侧配线层之第3的面,和与前述第3的面相反侧之第4的面之支持基板。对于前述p侧配线层及前述n侧配线层,和前述支持基板之间系设置有接合层,前述支持基板系具有连通于前述p侧配线层之第1开口,和连通于前述n侧配线层之第2开口。并且,更具备电性连接于前述p侧配线层之p侧端子,和电性连接于前述n侧配线层之n侧端子。 |
