| 发明名称 | 用于非平面晶体管的夹层电介质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在非平面晶体管中形成第一级夹层电介质材料层，其可以借助旋涂技术，之后借助氧化和退火来形成。第一级夹层电介质材料层可以基本上没有空隙，并可以对非平面晶体管的源极/漏极区施加拉伸应变。 | ||
| 申请公布号 | CN103975424A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201180075347.7 | 申请日期 | 2011.12.06 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·普拉丹;J·卢斯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种制造微电子晶体管的方法，包括：形成晶体管栅极，所述晶体管栅极包括邻近衬底的栅极电极和位于所述栅极电极的相对侧上的一对栅极隔离物；形成源极/漏极区；邻近所述源极/漏极区并邻近至少一个栅极隔离物形成第一夹层电介质材料层；氧化所述第一夹层电介质材料层；以及对所述第一夹层电介质材料层进行退火。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||