发明名称 |
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements und Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement |
摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (11) mit den folgenden Schritten angegeben:–Bereitstellen von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (6) und mindestens einer Seitenfläche (7), die schräg zu der Oberseite (6) verläuft,–Aufbringen eines Konversionselements (8) auf die Oberseite (6) und/oder die mindestens eine Seitenfläche (7) mittels Aufsprühen, wobei das Konversionselement (8) aus einem Sprühmittel (2b) erzeugt wird, das ein Matrixmaterial und Konverterpartikel enthält. |
申请公布号 |
DE102012112316(A1) |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
DE201210112316 |
申请日期 |
2012.12.14 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
GALLMEIER, HANS-CHRISTOPH;RICHTER, MARKUS;ALBRECHT, TONY;BAUMGARTNER, ALEXANDER |
分类号 |
H01L33/50;F21K2/00;F21Y101/02;H01L21/66;H01L33/58 |
主分类号 |
H01L33/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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