发明名称 |
具有一维光子晶体结构的发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种具有一维光子晶体结构的发光二极管,包括衬底层;位于衬底层上表面的N型层,所述N型层上设有凸台;位于N型层凸台上表面的发光层,位于凸台右侧的N型层上表面的N电极;位于发光层上表面的P型层,所述P型层的上表面的中部设有具有一维光子晶体结构的电流阻挡层,电流扩展层位于P型层和具有一维光子晶体结构的电流阻挡层的上表面,P电极位于电流阻挡层上侧的电流扩展层的上表面。所述发光二极管具有一维光子晶体结构,可以避免电流直接流过P电极下面造成电流拥挤的现象,同时一维光子晶体结构可以有效地改善LED的出光角度,提高LED的出光效率。 |
申请公布号 |
CN203631587U |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201320836442.0 |
申请日期 |
2013.12.18 |
申请人 |
同辉电子科技股份有限公司 |
发明人 |
李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;范胜华 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
米文智 |
主权项 |
一种具有一维光子晶体结构的发光二极管,包括衬底层(200);位于衬底层(200)上表面的N型层(201),所述N型层(201)上设有凸台;位于N型层(201)凸台上表面的发光层(202),位于凸台右侧的N型层(201)上表面的N电极(207);位于发光层(202)上表面的P型层(203),其特征在于:所述P型层(203)的上表面设有具有一维光子晶体结构的电流阻挡层(204),电流扩展层(205)位于P型层(203)和具有一维光子晶体结构的电流阻挡层(204)的上表面,P电极(206)位于电流阻挡层上侧的电流扩展层(205)的上表面。 |
地址 |
050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 |