非挥发性内存单元及其制造方法

摘要

本发明涉及一种非挥发性内存单元，包含一基板，该基板的上表面形成一源极区及一漏极区。一第一介电层形成于源极区及漏极区之间,且近漏极区一侧,一选择闸形成于该第一介电层上方。一穿隧介电层，形成于源极区及漏极区之间,且近源极区一侧，并与第一介电层连接。一源极绝缘层，形成于源极区上方。穿隧介电层延伸至源极区并与该源极绝缘层相连接。一悬浮栅极区，形成于该穿隧介电层与较厚的源极绝缘层之表面上。一控制栅极区，形成于该悬浮栅极区之表面上，且该控制栅极区与该悬浮栅极区以一第二介电层相绝缘。本发明能够减轻栅极引发源极漏电流效应，并对导通电流大小有良好的控制，更能进一步缩小内存单元的单位面积与制造的完整性。

主权项

一种非挥发性内存单元，其特征在于，包含：一基板，具有一上表面，且所述基板中设置一源极扩散区及一漏极扩散区；一第一介电层，形成于所述基板的上表面，且位于所述漏极扩散区一侧；一穿隧介电层，形成于所述基板的上表面，且位于所述源极扩散区一侧,所述穿隧介电层的下表面覆盖部分的所述源极扩散区；一源极绝缘层，形成于所述基板的源极扩散区的上表面，所述源极绝缘层的下表面全部包覆所述源极扩散区；一选择栅极区，形成于所述第一介电层之上；一悬浮栅极区，形成于所述穿隧介电层与所述源极绝缘层的表面上，且所述悬浮栅极区的一部份位于覆盖部分源极扩散区的穿隧介电层上方；一第二介电层，形成于所述悬浮栅极区的表面上；以及一控制栅极区，形成于所述悬浮栅极区之上，且所述控制栅极区与所述悬浮栅极区以所述第二介电层相绝缘。