发明名称 High power package transistor
摘要 <p>본 발명은 캐리어와 상기 캐리어 상단에 형성된 배어 다이를 구비한 고출력용 패키지 트랜지스터에 있어서, 상기 캐리어는 상단에 상호 간에 소정 간격을 두고 이격 형성된 제1 돌출부와 제2 돌출부를 가지며, 상기 배어 다이는 상기 캐리어 상단의 제1 돌출부와 제2 돌출부 사이에 본딩 형성된 것을 특징으로 고출력(High power)용 패키지 트랜지스터에 관한 것으로, 상단에 상호 간에 소정 간격을 두고 동일 높이로 이격 형성된 캐리어의 제1 돌출부와 제2 돌출부 사이에 배어 다이(Bare Die)를 본딩 형성함으로써, 배어 다이의 온도를 최소화하여 고출력용 패키지 트랜지스터에서 트랜지스터(TR)의 신뢰성을 확보할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101391802(B1) 申请公布日期 2014.05.07
申请号 KR20120076771 申请日期 2012.07.13
申请人 发明人
分类号 H01L23/12 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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