发明名称 |
13族元素氮化物膜的剥离方法 |
摘要 |
在晶种基板11的培养面上,通过助熔剂法,从含有助熔剂以及13族元素的熔液,在含氮气氛下设置13族元素氮化物膜3。在13族元素氮化物膜3的自晶种基板11侧的界面11a起50μm以下的区域,设置有分布了来自熔液成分的夹杂物的夹杂物分布层3a,在夹杂物分布层3a上,设置有夹杂物很少的夹杂物缺乏层3b。从晶种基板11的背面1b侧照射激光A,通过激光剥离法,将13族元素氮化物单晶3从晶种基板11剥离。 |
申请公布号 |
CN103732809A |
申请公布日期 |
2014.04.16 |
申请号 |
CN201280038697.0 |
申请日期 |
2012.07.13 |
申请人 |
日本碍子株式会社 |
发明人 |
岩井真;平尾崇行;吉野隆史 |
分类号 |
C30B29/38(2006.01)I;C30B19/02(2006.01)I;C30B33/08(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/38(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
李晓 |
主权项 |
一种13族元素氮化物膜的剥离方法,是对于在晶种基板上设有13族元素氮化物膜的层积体,从所述晶种基板的背面一侧照射激光,通过激光剥离法,将所述13族元素氮化物膜从所述晶种基板剥离的方法,所述13族元素氮化物膜是在晶种基板上,通过助熔剂法,由含有助熔剂以及13族元素的熔液,在含氮气氛下培养而成;其特征在于,所述13族元素氮化物膜含有:设置在所述13族元素氮化物膜的自所述晶种基板一侧的界面起50μm以下的区域、分布有来自所述熔液成分的夹杂物的夹杂物分布层,以及设置在该夹杂物分布层上、所述夹杂物很少的夹杂物缺乏层。 |
地址 |
日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号 |