一种低电压驻波比吸收体制备工艺

摘要

本发明公开了一种低电压驻波比吸收体制备工艺，包括如下步骤：A、粉料制备：将A-75氧化铝瓷粉及石墨等原料按25:1比例称取，加入一定比例的粘合剂和水，均匀混合，造粒，并通过20目筛网，陈腐72h。B、干压成型：根据不同吸收体外形要求，选用不同模具，添加适量粉料，施加合适压力，保压1s～3s，脱模，取出成型吸收体坯体。C、烧成：还原气氛烧成，熄火后，待窑内温度自然降温冷却至40°C～60°C时，将吸收体半成品取出。D、磨加工：按图纸对吸收体半成品进行磨加工。E、调试与测试：根据吸收体要求测试频率测试其电压驻波比。采用本发明采用上述工艺制得的吸收体外观一致性良好，结构致密均匀，具有低电压驻波比、高抗压强度、高衰减及高热导率等特点。

主权项

一种低电压驻波比吸收体制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：A、粉料制备：将A‑75氧化铝瓷粉及石墨按25:1比例称取，加入比例小于等于1:1的粘合剂和水，均匀混合，造粒，并通过20目筛网，陈腐72h；B、干压成型：根据不同吸收体外形要求，选用不同模具，添加粉料，施加0.1—22MPa之间的压力，保压1s～3s，脱模，取出成型吸收体坯体；C、烧成：将吸收体坯体放入还原气氛窑炉中，按以下烧成设定温度与烧成设定时间之间的对应关系进行烧成，当烧成设定温度为100℃，允许温差为±20℃，烧成设定时间为1.2h；当烧成设定温度范围在100℃—250℃时，允许温差为±20℃，设定温度每增加50℃，烧成设定时间增加1.2h；当烧成设定温度范围在250℃—400℃时，允许温差为±15℃，设定温度每增加50℃，烧成设定时间增加1.2h；当烧成设定温度范围在400℃—1000℃时，允许温差为±15℃，设定温度每增加100℃，烧成设定时间增加1h；当烧成设定温度范围在1000℃—1200℃时，允许温差为±10℃，设定温度每增加100℃，烧成设定时间增加1h；当烧成设定温度从1200℃升高到1270℃时，允许温差为±10℃，烧成设定时间增加2h；D、磨加工：将步骤C中制得的吸收体进行磨加工，然后将加工后的吸收体整齐排列放于耐火板上，放入电窑升温至350℃～450℃，保温5～10min后取出，烘干水分并自然冷却；E、调试与测试：电窑升温至520℃时，放入吸收体，保温5～10min后取出吸收体，根据吸收体要求设置对应测试频率测试其电压驻波比；当初测电压驻波比不合格时，在520℃～550℃温度范围内进行多次保温、测试，直至吸收体电压驻波比合格；吸收体多次保温、测试时，每次设定温度增加5～10℃，保温时间为5～10min。