发明名称 |
静态随机存储器及其写入冗余度改善的方法 |
摘要 |
一种静态随机存储器,包括:硅基衬底;设置在硅基衬底内的浅沟槽隔离;NMOS器件;PMOS器件,在PMOS器件之源极区和漏极区中设置硅锗晶格结构;上拉晶体管,为PMOS半导体,上拉晶体管之源极区、漏极区内不设置硅锗晶格结构。本发明通过在PMOS器件的源极区、漏极区中设置硅锗晶格结构,增加所述PMOS器件沟道中的压应力,从而达到提高所述PMOS器件之空穴迁移率的效果;通过在所述上拉晶体管之源极区、漏极区内不设置所述硅锗晶格结构,使得所述上拉晶体管在沟道方向上的压应力减小,降低所述上拉晶体管的载流子迁移率,增大所述上拉晶体管的等效电阻,进而提高所述静态随机存储器写入冗余度。 |
申请公布号 |
CN103579244A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310491853.5 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
俞柳江 |
分类号 |
H01L27/11(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/11(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种静态随机存储器,其特征在于,所述静态随机存储器包括:硅基衬底,并在所述硅基衬底内间隔设置用于电气隔离的浅沟槽隔离;NMOS器件,设置在所述浅沟槽隔离之间,所述NMOS器件之栅极设置在所述硅基衬底上,所述NMOS器件之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内,并在所述NMOS器件之源极区、漏极区不设置所述硅锗晶格结构;PMOS器件,设置在所述浅沟槽隔离之间,所述PMOS器件之栅极设置在所述硅基衬底上,所述PMOS器件之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内,且在所述PMOS器件之源极区和漏极区中设置所述硅锗晶格结构;上拉晶体管,所述上拉晶体管为PMOS半导体,并设置在所述浅沟槽隔离之间,所述上拉晶体管之栅极设置在所述硅基衬底上,所述上拉晶体管之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内,并在所述上拉晶体管之源极区、漏极区不设置所述硅锗晶格结构。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |