氮化物发光二极管

摘要

本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制备方法，属于光电器件制备领域。其具体结构包含：衬底、n型氮化物、发光层、p型氮化物层、p+型层、氮化铟铝层、n+型层、ITO透明电极。采用具有氮化铟铝插入层的隧穿结构作为接触层，能够在隧穿结界面处产生极化电荷，同时保持耗尽区的有效宽度，提升空穴的隧穿几率，减小接触电阻。

主权项

氮化物发光二极管，包括：衬底；n型氮化物层，形成于所述衬底之上；发光层，形成于n型氮化物层之上；p型氮化物层，形成于所述发光层之上；p+型氮化物层，形成于所述p型氮化物层之上；氮化铟铝镓渐变层，形成于高p+型氮化物层之上；n+型氮化物层、形成于所述氮化铟铝镓渐变层之上；所述p+型氮化物层、氮化铟铝镓渐变插入层和n+型氮化物层构成隧穿结。