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Das Verfahren zur Herstellung einer Membran aus einem Halbleitermaterial als reversibel verformbares Biegeelement eines Mikro-elektromechanischen Systems wie z.B. eines Druck- oder Kraft- oder Beschleunigungssensors umfasst die Bereitstellung eines Halbleitersubtrats (10), das eine eine Oberseite (14) des Halbleitersubstrats (10) bildende obere Halbleiterschicht (12) definierte Dicke, eine eine Unterseite (18) des Halbleitersubstrats (10) bildende untere Halbleiterschicht (16) und eine diese beiden Halbleiterschichten verbindende Verbindungsschicht (20) aus einem als Ätzstopp dienenden, elektrisch isolierenden Material aufweist. Durch einen ersten Ätzprozess wird in die untere Halbleiterschicht (16) von der Unterseite des Halbleitersubstrats (10) aus eine Kavität (22), mit der Verbindungsschicht (20) als Ätzstopp wirkend, geätzt. Durch einen weiteren Materialentfernungsprozess wird das Material der Verbindungsschicht (20) innerhalb von deren in der Kavität (22) freiliegenden Bereich (24) entfernt, bis die obere Halbleiterschicht (12) freiliegt. Danach wird durch einen zweiten Ätzprozess, unter Verwendung des nicht mehr existierenden Bereichs der Verbindungsschicht als Maskierung, innerhalb des freiliegenden Bereichs (24) der oberen Halbleiterschicht (12) aus dieser Material entfernt, wobei der zweite Ätzprozess zeitgesteuert ist, womit sich nach Ablauf der Ätzdauer des zweiten Ätzprozesses in der oberen Halbleiterschicht (12) eine die Kavität (22) überdeckende Membran (28) von durch die Ätzdauer definierter Dicke bildet. |
