发光二极管阵列及其制造方法

摘要

一种代表性的发光二极管(LED)阵列，包含：一底座基板(BS)及多个发光二极管，每一发光二极管包含具有一第一接触层、一半导体堆叠及一第二接触层的一堆叠，半导体堆叠于第一接触层的顶部，第二接触层于半导体堆叠顶部；多个发光二极管安排于底座基板上的像素矩阵中，作为至少三类型(红(R)、绿(G)、蓝(B))的发光二极管，发光二极管根据其类型(R、G、B)而安排作为在像素矩阵中的至少一第一、第二、及第三次像素，供一个别特定的至少第一、第二及第三颜色的辐射发射；以及在基板上的互连电路，用以连接至阵列的发光二极管，供驱动每一发光二极管。

主权项

一种发光二极管阵列，包含：一底座基板(BS)及多个发光二极管，每一所述发光二极管包含具有一第一接触层、一半导体堆叠及一第二接触层的一堆叠，所述半导体堆叠位于所述第一接触层的顶部，所述第二接触层位于所述半导体堆叠的顶部；所述多个发光二极管，安排于同一所述底座基板上的像素矩阵中，作为至少三类型红(R)、绿(G)、蓝(B)的发光二极管；所述发光二极管根据其类型(R、G、B)而安排为所述像素矩阵中的至少一第一、第二、及第三次像素，分别供至少第一、第二、及第三颜色的辐射发射；以及在所述底座基板上的互连电路，用以连接至所述阵列的发光二极管，供驱动每一所述发光二极管，其中，所述至少三类型发光二极管的至少之一的发光二极管安排为使所述第一接触层直接位于所述底座基板上，且其它类型的发光二极管安排为使一先质/附着层位于所述第一接触层与所述底座基板之间。