一种新型法布里-帕罗干涉型MEMS声波传感器

摘要

本发明公开了一种新型法布里-帕罗干涉型MEMS声波传感器，包括准直器、SOI晶片和设置在SOI晶片下面用于支撑SOI晶片和固定准直器的套管，所述的SOI晶片上加工有声敏感薄膜，所述套管的中心轴线与SOI晶片上圆形硅膜的中心法线重合，所述插入套管的光纤准直器端面距离声敏感薄膜的距离为100~300微米。本发明利用带尾纤的光纤准直器端面与硅微薄膜内表面构成法布里-帕罗干涉仪的两个平行面，当外界声波产生的压力作用到薄膜上时将导致薄膜发生形变，从而改变法布里-帕罗干涉腔的腔长。通过对F-P腔长变化量的解调实现对声波信号探测，从而为强电磁干扰环境下提供一种抗干扰能力强、微型化、高灵敏度的传声器。

主权项

一种新型法布里‑帕罗干涉型MEMS声波传感器，其特征在于：包括准直器、SOI晶片和设置在SOI晶片下面用于支撑SOI晶片和固定准直器的套管，所述的SOI晶片上加工有声敏感薄膜，所述的准直器固定在套管上，并与其套接且准直器的上端面与声敏感薄膜内表面构成法布里‑帕罗干涉仪的两个平行面，两个平行面与SOI晶片的基体构成一个干涉腔；所述套管的中心轴线与SOI晶片上圆形硅膜的中心法线重合，所述插入套管的光纤准直器端面距离声敏感薄膜的距离为100~300μm。