| 发明名称 | TFT及其制作方法、阵列基板及其制作方法、X射线探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TFT及其制作方法、阵列基板及其制作方法、X射线探测器，涉及光电技术领域，可以减少构图工艺的数量，并且可以提高阵列基板中薄膜晶体管的性能。所述制作方法包括：依次形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、钝化遮挡层薄膜；通过一次构图工艺形成包括钝化遮挡层的图形，使所述半导体层薄膜中被所述钝化遮挡层遮挡的部分形成半导体层的图形；通过离子掺杂工艺使所述半导体层薄膜中未被所述钝化遮挡层遮挡的部分形成包括源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极位于所述半导体层的两侧，且所述源极、所述漏极和所述半导体层位于同一层。本发明主要用于薄膜晶体管以及阵列基板制作工艺中。 | ||
| 申请公布号 | CN103474474A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310420395.6 | 申请日期 | 2013.09.16 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 高会朝;田宗民;李鹏 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极、半导体层和栅绝缘层，其特征在于，所述源极和所述漏极位于所述半导体层的两侧，且所述源极和所述漏极与所述半导体层位于同一层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||