一种导电聚合物凝胶填充硅通孔的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种导电聚合物凝胶填充硅通孔的方法。本发明一种导电聚合物凝胶填充硅通孔的方法，通过利用导电凝胶聚合之前为溶液，对硅通孔能实现良好填充的特性，在制备的绝缘阻挡层上形成充满硅通孔的导电聚合物凝胶，并利用导电凝胶的高导电性和稳定性，于硅通孔上表面及其底部形成上、下部金属突起，以实现导电互连，从而解决了因为硅通孔的高深宽比，采用铜互连工艺所要求的阻挡层和种子层的台阶覆盖性差，而导致硅通孔失效的问题。

主权项

一种导电聚合物凝胶填充硅通孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：于一设置有硅通孔的硅晶片上淀积绝缘阻挡层覆盖硅晶片的上表面和硅通孔底部及其侧壁；步骤S2：制备导电聚合物凝胶覆盖绝缘阻挡层并充满硅通孔；步骤S3：去除覆盖在硅晶片上表面的导电聚合物凝胶和绝缘阻挡层；步骤S4：依次采用金属薄膜沉积和光刻刻蚀工艺于硅通孔上形成上部金属凸起，该上部金属凸起覆盖剩余导电聚合物凝胶和剩余绝缘阻挡层的上表面；步骤S5：减薄硅晶片并去除硅通孔底部的剩余绝缘阻挡层至硅通孔底部的导电聚合物凝胶，并采用金属薄膜沉积和光刻刻蚀工艺于硅通孔暴露部分上形成下部金属凸起，该下部金属凸起覆盖剩余导电聚合物凝胶和剩余覆盖在硅通孔侧壁上绝缘阻挡层的下表面。