发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
半导体装置具有半导体晶片,其包括多个半导体管芯。在该半导体晶片上形成绝缘层。绝缘层的一部分通过LDA而去除来暴露半导体管芯的有源表面的一部分。在半导体管芯的有源表面上的接触盘上形成第一导电层。使半导体晶片单个化来将半导体管芯分开。半导体管芯设置在载体上,其中半导体管芯的有源表面偏离该载体。密封剂沉积在半导体管芯和载体上来覆盖半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分。互连结构在第一导电层上形成。备选地,MUF材料沉积在半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分上。 |
申请公布号 |
CN203288575U |
申请公布日期 |
2013.11.13 |
申请号 |
CN201320241629.6 |
申请日期 |
2013.05.07 |
申请人 |
新科金朋有限公司 |
发明人 |
林耀剑;H-P.维尔茨;尹胜煜;P.C.马里穆图 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
柯广华;王忠忠 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:半导体管芯;绝缘层,其在所述半导体管芯上形成,其中所述半导体管芯的表面的一部分没有所述绝缘层;以及密封剂,其沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的侧边以及没有所述绝缘层的所述半导体管芯的所述表面的所述部分。 |
地址 |
新加坡新加坡市 |