| 发明名称 |
外延结构体的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述第一外延生长面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的第一外延生长面生长一第一外延层；去除所述基底及所述碳纳米管层，形成一外延衬底，所述外延衬底具有一图案化的表面；以及将所述外延衬底图案化的表面作为第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。 |
| 申请公布号 |
CN103367122A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
| 申请号 |
CN201210085276.5 |
申请日期 |
2012.03.28 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
| 分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述第一外延生长面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的第一外延生长面生长一第一外延层；去除所述基底及所述碳纳米管层，形成一外延衬底，所述外延衬底具有一图案化的表面；以及将所述外延衬底图案化的表面作为第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
