一种波长可调谐的多量子阱结构太赫兹探测器

摘要

本发明公开了一种波长可调谐的多量子阱太赫兹探测器，该探测器包括以c面GaN为衬底，在衬底上逐层生长未掺杂的GaN缓冲层、n型掺杂的GaN下欧姆接触层、先势垒后阶梯势阱交替生长的多周期量子阱结构、未掺杂的AlxGa1-xN势垒层、n型掺杂的GaN上欧姆接触层；利用金属有机物化学气相沉积方法在衬底上生长出多量子阱结构，在导带中形成两能级结构；在太赫兹波入射下，电子从基态能级跃迁到激发态能级，并在外加电压下形成光电流，实现对太赫兹波的探测。本发明的优点在于：GaN基多量子阱太赫兹探测器能够在较高温度甚至室温下工作，无需制冷设备，该探测器还可以方便地实现较大范围内的波长调谐，使得其应用范围更加广泛。

主权项

一种波长可调谐的多量子阱太赫兹探测器，其特征在于：该探测器包括以c面GaN 为衬底，在衬底上逐层生长的外延材料结构；该结构包括未掺杂的GaN 缓冲层、n型掺杂的GaN 下欧姆接触层、先势垒后阶梯势阱交替生长的多周期量子阱结构、未掺杂的AlxGa1‑xN势垒层、n型掺杂的GaN上欧姆接触层；利用金属有机物化学气相沉积方法在衬底上生长出多量子阱结构，在导带中形成两能级结构；在太赫兹波入射下，电子从基态能级跃迁到激发态能级，并在外加电压下形成光电流，实现对太赫兹波的探测。