发明名称 |
包含含有二酮结构的有机基团的含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物 |
摘要 |
本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物,其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物,该硅烷包含下述式(1):[(R<sup>1</sup>)<sub>a</sub>Si(R<sup>2</sup>)<sub>(3-a)</sub>]<sub>b</sub>(R<sup>3</sup>)式(1)〔式中R<sup>3</sup>表示式(2)、式(3)、或式(4):(式中,R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>中的至少1个基团直接或介由连接基团而与Si原子结合。)所示的基团,R<sup>1</sup>表示烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团、或者它们的组合。R<sup>2</sup>表示烷氧基、酰氧基、或卤原子。〕所示的水解性有机硅烷。<img file="DDA00003544978900011.GIF" wi="1448" he="408" /> |
申请公布号 |
CN103339569A |
申请公布日期 |
2013.10.02 |
申请号 |
CN201280006068.X |
申请日期 |
2012.01.24 |
申请人 |
日产化学工业株式会社 |
发明人 |
菅野裕太;佐久间大辅;中岛诚 |
分类号 |
G03F7/11(2006.01)I;C08G77/14(2006.01)I;C08G77/48(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;田欣 |
主权项 |
1.一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物,其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物,该硅烷包含下述式(1)所示的水解性有机硅烷,〔(R<sup>1</sup>)<sub>a</sub>Si(R<sup>2</sup>)<sub>(3-a)</sub>〕<sub>b</sub>(R<sup>3</sup>) 式(1)式中R<sup>3</sup>表示式(2)、式(3)或式(4)所示的基团,<img file="FDA00003544978700011.GIF" wi="1444" he="302" />式(2) 式(3) 式(4)在式(2)、式(3)和式(4)的各式中,R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>中的至少1个为单键、或作为连接基团与硅原子结合的基团,在R<sup>4</sup>不与硅原子结合的情况下,R<sup>4</sup>表示氢原子、或者烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团、或者它们的组合,在R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>不与硅原子结合的情况下,R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>分别独立地表示直链烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团、或者它们的组合,在R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>或R<sup>6</sup>的任一个为作为连接基团与硅原子结合的基团的情况下,该与硅原子结合的基团分别表示从上述定义的基团中除去了1个氢原子的2价基团,其中,式(3)中的R<sup>6</sup>、式(4)中的R<sup>5</sup>、和式(4)中的R<sup>6</sup>在与硅原子结合的情况下不是单键,而是表示作为连接基团与硅原子结合的基团;R<sup>1</sup>分别独立地表示烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团、或者它们的组合,R<sup>2</sup>分别独立地表示烷氧基、酰氧基、或卤原子,a表示0~2的整数,b表示1~3的整数。 |
地址 |
日本东京都 |