| 发明名称 |
ＰＭＯＳ金属闸极结构制造方法 |
| 摘要 |
本发明说明了形成微电子结构之方法。这些方法可包含下列步骤：在一基材上形成一闸极介电层；在该闸极介电层上形成一金属闸极层；然后以原处方式在该金属闸极层上形成一多晶矽层，其中该金属闸极层并未被暴露于空气中。 |
| 申请公布号 |
TWI411020 |
申请公布日期 |
2013.10.01 |
| 申请号 |
TW097148513 |
申请日期 |
2008.12.12 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 美国 |
发明人 |
梅兹 马修;达克西 马克;狄威 吉伯特;卡瓦李耶罗 杰克 |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
