| 摘要 |
<p>Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) angegeben, mit - einem volumenemittierenden Halbleiterchip (1), der eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist, - einem ersten reflektierenden Element (21), das an der ersten Hauptfläche (11) angeordnet ist und durch die erste Hauptfläche (11) im Betrieb des Halbleiterchips (1) austretende elektromagnetische Strahlung zur ersten Hauptfläche (11) zurück reflektiert, - einem zweiten reflektierenden Element (22), das an der zweiten Hauptfläche (12) angeordnet ist und durch die zweite Hauptfläche (12) im Betrieb des Halbleiterchips (1) austretende elektromagnetische Strahlung zur zweiten Hauptfläche (12) zurück reflektiert, und - zumindest einer Strahlungsaustrittsfläche (3), durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils (100) erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem Halbleiterbauteil (100) tritt, wobei -die zumindest eine Strahlungsaustrittsfläche (3) quer zu der ersten Hauptfläche (11) und der zweiten Hauptfläche (12) des Halbleiterchips (1) verläuft.</p> |
