III族氮化物半导体发光器件

摘要

本发明提供一种以提供零内电场的面为主面的III族氮化物半导体发光器件，并且其表现出改善的发光性能。该发光器件包括在其表面中具有从上方观察排列成条带图案的多个凹坑的蓝宝石衬底、形成在蓝宝石衬底的凹坑表面上的n接触层、形成在n接触层上的发光层、形成在发光层上的电子阻挡层、形成在电子阻挡层上的p接触层、p电极和n电极。电子阻挡层具有2～8nm的厚度并由Al组成比例为20～30％的Mg掺杂AlGaN形成。

主权项

一种具有堆叠结构的III族氮化物半导体发光器件，所述堆叠结构包括n接触层、发光层、电子阻挡层和p接触层，所述层依次堆叠并且所述层均为以相对于具有c面主面的III族氮化物半导体层的内电场强度提供10％以下的内电场强度的面为主面的III族氮化物半导体层，其中所述电子阻挡层具有2～8nm的厚度并由Al组成比例为20～30％的Mg掺杂AlGaN形成，所述堆叠结构沉积在蓝宝石衬底的a面主面上，并且所述n接触层、所述发光层和所述电子阻挡层具有平行于所述蓝宝石衬底的a面主面的m面主面。