| 发明名称 | 肖特基二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，包括衬底、衬底上的金属硅化物，其特征在于，衬底与金属硅化物之间的界面处还包括注入掺杂离子然后分凝退火形成的掺杂离子分凝区。依照本发明的新型肖特基二极管及其制造方法，通过对金属硅化物的电极注入掺杂离子并退火驱动使其分凝在与衬底的界面处，有效降低了肖特基势垒高度，例如使其低于0.1eV，从而提高驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103311316A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210059574.7 | 申请日期 | 2012.03.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尚海平;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种肖特基二极管，包括衬底、衬底上的金属硅化物，其特征在于，衬底与金属硅化物之间的界面处还包括掺杂离子分凝区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||