发明名称 半导体存储装置
摘要 本发明提供一种半导体存储装置。在存储单元(100)中,由开关用晶体管(3 1)、复位用晶体管(32)、输出布线驱动用晶体管(33)构成将读取位线(RBIT)作为输出布线的读取电路(30)。开关用晶体管(31)根据读取字线(/RWL0)的控制信号连接存储电路(10)的数据保持节点(MD)和控制线(DR)。复位用晶体管(32)根据复位控制信号(RST)对控制线(DR)进行复位。输出布线驱动用晶体管(33)具有与控制线(DR)连接的栅极、与读取位线(RBIT)连接的漏极、与接地电源连接的源极。
申请公布号 CN101785064B 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN200980100212.4 申请日期 2009.02.27
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 小池刚
分类号 G11C11/41(2006.01)I 主分类号 G11C11/41(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体存储装置,具备共用输出布线的多个存储单元,其特征在于,所述多个存储单元的每一个具备:存储电路,其具有数据保持节点;写入电路,其向所述存储电路写入数据;和读取电路,其从所述存储电路读取数据;所述读取电路具备:开关用晶体管,其根据第一控制信号,连接所述数据保持节点和控制线;复位用晶体管,其根据第二控制信号,对所述控制线进行复位;和输出布线驱动用晶体管,其具有与所述控制线连接的栅极、与所述输出布线连接的漏极、与电源连接的源极;所述开关用晶体管包括具有与所述第一控制信号连接的栅极、与所述数据保持节点连接的源极、与所述控制线连接的漏极的第一导电型晶体管,所述复位用晶体管包括具有与所述第二控制信号连接的栅极、与所述控制线连接的漏极、与电源连接的源极的第1第二导电型晶体管,所述输出布线驱动用晶体管包括具有与所述控制线连接的栅极、与所述输出布线连接的漏极、与电源连接的源极的第2第二导电型晶体管。
地址 日本大阪府
您可能感兴趣的专利