一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构

摘要

本实用新型公开了一种低成本的沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构。沟槽型半导体功率器件包括：半导体基板，并联的单胞构成位于中心的有源区，有源区的外围设置有包括一个分压环和位于分压环外侧的至少一个截止环的终端保护区；分压环由终端保护区内的P型深阱和浮置在该P型深阱中的分压沟槽构成；分压沟槽内壁生长有绝缘栅氧化层，分压沟槽中设置有导电多晶硅；截止环包括：设置在第一导电类型外延层顶部的第二导电类型截止阱，截止阱的右侧顶部设置有第一导电注入层，该第一导电注入层中开设有用于安装截止环金属的引出槽，该引出槽深入到第二导电类型层中。本实用新型还公开了上述半导体功率器件的制造方法。本方法尤其适应用于制造超过100V的沟槽型半导体功率器件。

主权项

一种沟槽型半导体功率器件的终端保护结构，包括：半导体基板，半导体基板包括第一导电类型衬底及设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面；第一主面上覆盖有绝缘介质层，第一主面在位于中心区域的有源区的外围设置有终端保护区，所述的终端保护区内设置有至少一个分压环和位于分压环外围的至少一个截止环；其特征在于：所述的分压环包括：设置在第一导电类型外延层顶部的第二导电类型分压深阱，第二导电类型分压深阱中浮置有至少一个环状的分压沟槽，分压沟槽的内壁上生长有绝缘栅氧化层，分压沟槽中设置有导电多晶硅；所述的截止环包括：设置在第一导电类型外延层顶部的第二导电类型截止阱，截止阱的右侧顶部设置有第一导电注入层，该第一导电注入层中开设有用于安装截止环金属的截止环引出槽。