摘要 |
Integrierte Schaltung, umfassend: ein Halbleitersubstrat (116, 202); einen auf dem Halbleitersubstrat (116, 202) ausgebildeten ersten elektrischen Kontakt (110, 230); und ein über eine durch einen galvanischen Prozess erzeugte Verbindung mit dem ersten elektrischen Kontakt (110, 230) verbundenes erstes Kühlkörperelement (102, 240).
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