| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。根据本发明提供的方法，在后栅工艺中，去除伪栅后，在所形成的开口中沉积介电材料，并且对开口侧壁上的介电材料进行预处理，改变介电材料的性质，然后去除开口侧壁上的介电材料。采用本发明的方法制作的半导体器件能够有效减小寄生电容。 | ||
| 申请公布号 | CN103187293A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110459120.4 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 马景辉 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在基底上形成伪栅；去除伪栅，从而形成开口；沉积介电材料，从而在所述开口的侧壁的至少一部分上和开口的底部形成介电材料层；对所述开口的侧壁上的介电材料层进行预处理，从而改变所述开口的侧壁上的介电材料层的性质；以及去除所述开口的侧壁上的介电材料层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||