发射辐射的器件及其制造方法

摘要

一种发射辐射的器件，包括：支承体；设置在支承体上的半导体芯片，其中半导体芯片具有用于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面；第一接触结构和第二接触结构，用于电接触半导体芯片；第一接触层和第二接触层，其中半导体芯片通过第一接触层与第一接触结构导电连接，以及通过第二接触层与第二接触结构导电连接；设置在半导体芯片上的钝化层，其中钝化层包括有机聚合物，其具有通式(I)，其中残基R1至R16可以分别彼此独立地为H、CH3、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。

主权项

1.一种发射辐射的器件，包括：－支承体（1）；－设置在支承体（1）上的半导体芯片（2），其中所述半导体芯片（2）具有用于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面（3）；－第一接触结构和第二接触结构（4a，4b），用于电接触所述半导体芯片（2）；－第一接触层（21）和第二接触层（6），其中所述半导体芯片（2）通过第一接触层（21）与第一接触结构（4a）导电连接，以及通过第二接触层（6）与第二接触结构（4b）导电连接；－设置在所述半导体芯片（2）上的钝化层（5），其中钝化层（5）包括有机聚合物，所述有机聚合物具有通式（I）：其中残基R¹至R¹⁶分别彼此独立地为H、CH₃、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。