发明名称 |
等离子体处理腔室及其射频匹配电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种射频匹配电路,以及,包含该射频匹配电路的多重频率等离子体处理腔,该射频匹配电路包含:射频匹配电路,其可切换地耦合两个偏置频率中的一个和一个源频率在一个阴极上,其包含:第一匹配网络、第二匹配网络、第三匹配网络,以及并联谐振电路,还包含接地的屏蔽板,其设置在第一匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间或第二匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间。本实用新型能够将偏置频率和源频率之间的隔离度提高10dB,从而减小双频之间的影响和功率泄露,提高能量利用效率和刻蚀速率。 |
申请公布号 |
CN202978850U |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201220705760.9 |
申请日期 |
2012.12.19 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
梁洁;罗伟义 |
分类号 |
H03H7/38(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H03H7/38(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
张静洁;徐雯琼 |
主权项 |
一种应用于等离子体处理腔室的射频匹配电路,所述的射频匹配电路可切换地耦合两个偏置频率中的一个和一个源频率在一个阴极上,其包含:一个被调谐以在一个低于10MHz的第一偏置频率下运行的第一匹配网络,一个被调谐以在一个高于第一偏置频率但低于15MHz的第二偏置频率下运行的第二匹配网络,一个被调谐以在一个高于所述第二偏置频率的源频率下运行的第三匹配网络,以及,一个被调谐以使其中心频率与所述第二偏置频率相等的并联谐振电路,其特征在于,所述射频匹配电路还包含:接地的屏蔽板,所述的屏蔽板设置在第一匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间或第二匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |