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发明名称
晶片电阻器及其制造方法
摘要
本发明系关于一种晶片电阻器及其制造方法,该晶片电阻器包括一基板、二背面电极、一电阻层、二正面电极、一第一保护层、二障壁层、一第二保护层、二侧面电极及至少一镀层。该第一保护层系位于该电阻层上方,且覆盖部分该等正面电极。该等障壁层系位于该等正面电极上,且覆盖部分该第一保护层。该第二保护层系位于该第一保护层上,且覆盖部分该等障壁层。该至少一镀层系覆盖该等障壁层、该等背面电极及该等侧面电极。藉此,该晶片电阻器具有高抗腐蚀能力。
申请公布号
TWI395232
申请公布日期
2013.05.01
申请号
TW098103896
申请日期
2009.02.06
申请人
国巨股份有限公司 高雄市楠梓区楠梓加工出口区西三街16号
发明人
杨志忠;吴文丰;林美玲;吴文正;陈财虎;孔文星
分类号
H01C17/06
主分类号
H01C17/06
代理机构
代理人
蔡东贤 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
高雄市楠梓区楠梓加工出口区西三街16号
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