发明名称 晶片电阻器及其制造方法
摘要 本发明系关于一种晶片电阻器及其制造方法,该晶片电阻器包括一基板、二背面电极、一电阻层、二正面电极、一第一保护层、二障壁层、一第二保护层、二侧面电极及至少一镀层。该第一保护层系位于该电阻层上方,且覆盖部分该等正面电极。该等障壁层系位于该等正面电极上,且覆盖部分该第一保护层。该第二保护层系位于该第一保护层上,且覆盖部分该等障壁层。该至少一镀层系覆盖该等障壁层、该等背面电极及该等侧面电极。藉此,该晶片电阻器具有高抗腐蚀能力。
申请公布号 TWI395232 申请公布日期 2013.05.01
申请号 TW098103896 申请日期 2009.02.06
申请人 国巨股份有限公司 高雄市楠梓区楠梓加工出口区西三街16号 发明人 杨志忠;吴文丰;林美玲;吴文正;陈财虎;孔文星
分类号 H01C17/06 主分类号 H01C17/06
代理机构 代理人 蔡东贤 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 高雄市楠梓区楠梓加工出口区西三街16号