| 发明名称 | 电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法，其中电极结构包括：采用射频磁控溅射法制备的第一铝层，采用直流磁控溅射法制备的第二铝层，及采用直流磁控溅射法制备的金属层；金属层位于第一铝层和第二铝层的上方；其中，第一铝层的晶粒小于第二铝层的晶粒。本发明中，第一铝层可以较快的释放压缩应力，避免了小丘生成；第二铝层的电阻率较小，能够满足电极信号延迟的要求；同时金属层也可以抑制铝层表面生成小丘。本发明无需增加额外的刻蚀和阳极氧化工艺，节省了工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102237397B | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201010156378.2 | 申请日期 | 2010.04.22 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 张金中;张文余 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/43(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种电极结构，其特征在于，包括：采用射频磁控溅射法制备的第一铝层，采用直流磁控溅射法制备的第二铝层，及采用直流磁控溅射法制备的金属层；所述金属层位于所述第一铝层和所述第二铝层的上方；其中，所述第一铝层的晶粒小于所述第二铝层的晶粒；所述第一铝层位于第二铝层的上方；所述电极结构，还包括：采用直流磁控溅射法制备的第三铝层，所述第三铝层位于所述第一铝层的上方，并且所述第一铝层的晶粒小于所述第三铝层的晶粒。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||