一种GaN-LED芯片结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN-LED芯片结构及其制备方法，在衬底和外延层之间形成反射层，在该反射层上形成周期分布的圆柱状图形。根据本发明制备的GaN-LED芯片同时解决晶体质量和出光效率的问题，可以提高LED芯片的发光效率10％-20％左右。

主权项

一种GaN‑LED芯片结构，自下而上依次包括保护层、下反射层、第三粘附层、衬底、第一粘附层、上反射层、第二粘附层、缓冲层、N型GaN层和N型电极、多量子阱、P型GaN层和P型电极，其特征在于上反射层表面为周期圆柱状图形，圆柱直径为1微米到2.5微米，两圆柱间的距离为0.5微米到1.5微米，圆柱的高度为1微米到2微米。